Az AMD és az IBM kutatói által kidolgozott technológia – melyet Dual Stress Liner (DSL) névre kereszteltek – akár 24 százalékkal képes növelni a mikroprocesszorokat alkotó tranzisztorok teljesítményét – közölte ma a két vállalat. A megoldás – mely a feszített szilícium (strained silicon) továbbfejlesztésének tekinthető – nem igényli új gyártástechnológiai eljárások bevezetését, így már a jövő év első félévében piacra kerülő AMD- és IBM-chipekben megtalálható lesz.

Az IBM által kidolgozott és ma már számos gyártó által használt feszített szilícium technológia hátterében az a felismerés áll, hogy egyes ásványok atomjai természetüknél fogva idomulnak egymáshoz. Amennyiben szilíciumot helyeznek egy lazább atomi szerkezetű hordozóra (mint amilyen szilícium-germánium), a szilícium atomjai idomulnak a hordozóéihoz, és lazább szerkezetbe rendeződnek, így pedig a töltéshordozók akadálytalanabbul, gyorsabban áramolhatnak a csatornában

Ez a megoldás a félvezető tranzisztorok két, ún. p- és n-csatornás változata közül csupán az előbbi teljesítményét javítja. A DSL azonban mindkét típusú tranzisztor felturbózására képes, mégpedig úgy, hogy a n-csatornásak esetében kifeszíti, az p-csatornásak esetében pedig összesűríti a szilíciumot (itt ugyanis nagyobb anyagsűrűségre van szükség a teljesítménynöveléshez). Az AMD egyelőre nem hozta nyilvánosságra, hogy milyen új anyagokat alkalmaznak a DSL eljárás során, azt azonban elárulták, hogy általánosan használt és olcsó adalékokról van szó.

A CNET úgy tudja, hogy az AMD Athlon 64 FX sorozatában már jelenleg is vannak olyan processzorok, melyek a silicon on insulator (SOI) és az új DSL technológia együttes alkalmazásával készülnek. Az új eljárás általános bevezetésére azonban a jövő év első negyedévében kerül sor. Mind az AMD, mind pedig az IBM a 90 nanométeres csíkszélességgel gyártott lapkáit javítja fel az új megoldással.