A China Securities Journal riportja szerint a kínai állam által erősen támogatott Changxin Memory Technology megkezdte az első, teljesen Kínán belül tervezett DRAM memória tömeggyártását. A céget még 2016-ban alapították, méghozzá azzal a céllal, hogy a kínai memóriapiacot, saját fejlesztésű és gyártású memóriákkal tudják ellátni.
A Changxin Memory Technology 21,1 milliárd dollárt költött a teljes projektre, és ez egy 10 nm-es osztályú, valóságban 18 nm-es node-ban teljesedett ki, ahol már készülnek is az első DRAM chipek. A kezdeti szakaszban a gyártókapacitás havonta 120 ezer wafer lesz, és az első megrendeléseket az év végére le is szállítják.
A fentiek Kína számára azért is nagyon fontosak, mert ez az első lépés, hogy az ország igazán függetleníteni tudja magát a többi, külföldi tulajdonban lévő memóriagyártótól, ami az USA és Kína közötti kereskedelmi háborút figyelembe véve egy lényeges stratégiai szempont.
