Nagyjából ötven éves már a legendás Moore-törvény, mely szerint az integrált áramkörökben lévő tranzisztorok száma másfél évente megduplázódik. Ezt az ütemet eddig, a 14 nm-es gyártási technológiáig többé-kevésbé tartani tudták a gyártók, és a 10 nm is megoldhatónak tűnik, de 7 nm környékén már a ma használatos, szilícium alapanyag fizikai korlátaiba ütközünk. Régóta folynak már kutatások, több vállalat és egyetem laboratóriumában keresik az új alapanyagokat, melyek közül a szén nanocsövek tűnnek ígéretesnek, ugyanis ezek atomi szerkezetétől függően lehetnek félvezetők vagy vezetők.
A Berkeley Lab nagy bejelentést tett, olyan tranzisztort készítettek, aminek mindössze 1 nm-es a kapuja. Összehasonlításképpen, a mai legfejlettebb, kereskedelmi forgalomban lévő tranzisztorok kapuja 20 nm-es, a szilícium kapuk fizikai határa pedig 5 nm körül van, itt már az alagút-effektus beleszól az elektronok blokkolásába, lényegében nem lehet kikapcsolni a tranzisztort.
Az Ali Javey vezette csapat a szén nanocsövek mellett molibdén-diszulfidot alkalmazott, amit többek közt az iparban és motoroknál is használnak kenőanyagként. Tranzisztornál nem a kenés a fontos, hanem az, hogy a szilíciumhoz hasonlóan kristályos szerkezetű, viszont nagyobb az ellenállása, így rövidebb kapu hozható létre alagúthatás nélkül. Sajnos, az új tudományos eredmény nem fogja azonnal megváltani a világot, egyelőre még a rögös út elején vannak a tudósok, de legalább egy nagyot léptek a – vélhetőleg – helyes irányba.
